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febrero 13, 2017

William Bradford Shockley

William Bradford Shockley
Nacido en Inglaterra el 13 de febrero de 1910 de padres americanos, a los tres años de edad volvió con su familia a California. Realizó sus estudios superiores de física en el California Institute of Technology (Caltech), del que se graduó (B.Sc.) en 1932.

A continuación Shockley inició, en el Massachusetts Institute of Technology (MIT), sus estudios para la obtención de un doctorado (Ph.D.), cosa que consiguió en 1936 con su tesis “Calculation of Electron Wave Functions in Sodium Chloride Crystals”. Ese mismo año ingresó en los laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone Company, dirigió el proyecto sobre la defensa submarina de los EEUU y prestó servicio a su nación, como asesor del servicio del secretario de la Guerra, en 1945. En 1953, al finalizar la guerra, fue nombrado director del departamento de Transistores de la citada empresa. 

En 1948 John Bardeen y Walter H. Brattain, miembros del equipo de Shockley, consiguieron desarrollar en la práctica, un amplificador, que fue denominado transistor. Este primer transistor era del tipo de punta de contacto (point contact transistor).

Shockley, que no había participado directamente en este descubrimiento, siguió en su propia línea de investigación y poco después puso a punto un nuevo transistor del tipo denominado de unión (junction transistor), que aparece por primera vez en su patente US2569347 publicada en 1951.

Siguiendo con sus investigaciones sobre el transistor, en 1951 inventó el transistor unipolar (unipolar junction transistor), del que obtuvo la patente US2744790 en 1956.

Poco después inventó un dispositivo semiconductor de resistencia negativa, que en una versión posterior adaptó para su uso en alta frecuencia.

Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la corriente inversa en las uniones p-n, explicándolo según la teoría de Clarence M. Zener sobre la ruptura eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación práctica de este fenómeno se materializó en un diodo semiconductor que Shockley bautizó como diodo Zener.

En 1955 vio la luz un nuevo descubrimiento, el diodo de cuatro capas semiconductoras denominado en primera instancia diodo conmutador y conocido posteriormente como diodo Shockley, sobre el cual recibió la patente US2855524 en 1958. En esta patente muestra el diodo en un circuito telefónico, pero también lo empleó en un registro de desplazamiento y en otros circuitos.

Shockley contribuyó además, de manera decisiva, a las técnicas de fabricación de semiconductores desarrollando dos métodos que se convirtieron en fundamentales; el proceso de difusión y el de implantación iónica.

Honores Recibidos
  • Premio Nobel de Física en 1956 premiado en Conjunto con John Bardeen y Walter Houser Brattain "Por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor”.
  • Medal of Merit (Office of the Secretary of War), 1946.
  • Citation of Honor (Air Force Association), 1951.
  • Morris Liebmann Memorial Prize (IRE), 1952.
  • Oliver E. Buckley Prize (American Physical Society), 1953.
  • Certificate of Appreciation (U.S. Army), 1953.
  • Comstock Prize (National Academy of Sciences), 1953.
  • Wilhelm Exner Medaille (Oesterreichischen Gewerbevereins), Austria, 1963.
  • Holley Medal (American Society of Mechanical Engineers), 1963.


Murió el 12 de agosto de 1989 en Palo Alto, California USA.

Fuentes:
Biografías y Vidas - Enlace: https://goo.gl/orHxtl
Histel - Enlace: https://goo.gl/wCdeHM
"The Nobel Prize in Physics 1956". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Web. 12 Feb 2017. <http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/>

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